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场效应管(MOSFET)
STB160N75F3
引脚图
此图展示了型号为 STB160N75F3 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 STB160N75F3 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
STB160N75F3
1个N沟道 耐压:75V 电流:120A
品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
STB160N75F3
商品编号
C457514
商品封装
D2PAK
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
75V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
3.7mΩ@10V,60A
耗散功率(Pd)
330W
属性
参数值
阈值电压(Vgs(th))
4V
栅极电荷量(Qg)
85nC@37.5V
输入电容(Ciss)
6.75nF@25V
反向传输电容(Crss)
40pF@25V
工作温度
-55℃~+175℃
数据手册PDF
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