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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 330W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@37.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.75nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET是意法半导体（ST）STripFET™工艺的最新改进成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性和低栅极电荷。
商品特性
- 电流受封装限制
- 超低导通电阻
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用