温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STT6N3LLH6
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道30 V、0.021 Ohm、6 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，SOT23-6L封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STT6N3LLH6
- 商品编号
- C457495
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 283pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一款采用第六代STripFET™ DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET，具有全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- RDS(on) * Qg达到行业标杆
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用