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STD10P6F6
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD10P6F6
- 商品编号
- C457501
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.387245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF@48V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@48V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些器件是采用STripFET™ F6技术开发的P沟道功率MOSFET，具有新型沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的 RDS(on)。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用