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STD30NF06LT4
1个N沟道 耐压:60V 电流:35A
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- 描述
- 此功率MOSFET是意法半导体独特的“单特征尺寸”条形工艺的最新发展成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性和较少的关键对准步骤，因此具有出色的制造重复性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD30NF06LT4
- 商品编号
- C457508
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3865克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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