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STD20NF06LT4
1个N沟道 耐压:60V 电流:24A
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- 描述
- N沟道60V - 0.032 - 24A STripFET II MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD20NF06LT4
- 商品编号
- C457505
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.522克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具有出色的制造重复性。
商品特性
- 卓越的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
- 面向应用的特性表征
应用领域
- 开关应用-DPAK-IPAK