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STD80N4F6
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
- 描述
- 汽车级N沟道40 V、5.5 mOhm典型值、80 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD80N4F6
- 商品编号
- C457498
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是一款采用第六代 STripFET™ DeepGATE™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET，具有全新的栅极结构。由此制成的功率 MOSFET 在所有封装中均展现出最低的导通电阻 RDS(on)。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合 AEC-Q101 标准
- 栅极电荷低
- 导通电阻极低
- 雪崩耐量高
应用领域
- 开关应用