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STD8NF25
1个N沟道 耐压:250V 电流:8A
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- 描述
- N沟道250 V、318 mOhm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD8NF25
- 商品编号
- C457500
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 318mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该功率MOSFET系列采用意法半导体（STMicroelectronics）独特的STripFET™工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的主开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 100%雪崩测试
- 最高结温175 °C
应用领域
- 开关应用