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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
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