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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperMESH™系列是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的PowerMESH™布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保该系列在最苛刻的应用中具备出色的dv/dt能力。该系列完善了意法半导体的全系列高压MOSFET产品，其中包括具有革新性的MDmesh™产品。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 优异的制造重复性
应用领域
- 开关应用
- TO-220
- TO-220FP
- DPAK
- IPAK