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STS7NF60L
1个N沟道 耐压:60V 电流:7.5A
- 描述
- N沟道,60V,7.5A,0.017Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS7NF60L
- 商品编号
- C457488
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用了独特的“单特征尺寸™”条形工艺，是该工艺的最新成果。由此制造的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性和较少的关键对准步骤，因此具备显著的制造可重复性。
商品特性
- 典型RDS(导通) = 0.017 Ω
- 标准外形，便于自动表面贴装组装
- 低阈值驱动
应用领域
- 直流电机驱动
- 直流 - 直流转换器
- 移动设备的电池管理
- 便携式/台式电脑的电源管理