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STH315N10F7-6
1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
- 描述
- 汽车级N沟道100 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH315N10F7-6
- 商品编号
- C457491
- 商品封装
- H2PAK-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 315W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 市场上导通电阻（RDS(on)）最低的产品之一
- 具有出色的品质因数（FoM）
- 低Crss/Ciss比，可提高抗电磁干扰（EMI）能力
- 具有高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用