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STS6NF20V
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- N沟道20 V、30 mOhm典型值、6 A、2.7 V驱动STripFET II功率MOSFET，SO-8封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS6NF20V
- 商品编号
- C457489
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.7V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@16V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF@15V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
该功率MOSFET系列采用意法半导体（STMicroelectronics）独特的STripFET™工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适用于电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 超低阈值栅极驱动
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关应用