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STW9NK95Z
1个N沟道 耐压:950V 电流:7A
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- 描述
- 通过对成熟的基于条形的PowerMESH™布局进行极致优化获得。除了显著降低导通电阻外，还特别确保了在最苛刻的应用中具有非常好的dv/dt能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW9NK95Z
- 商品编号
- C457483
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.38Ω@10V,3.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.256nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SuperMESH系列是对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的PowerMESH布局进行极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛的应用场景中具备出色的dv/dt能力。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
应用领域
- 开关应用