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STW50N65DM2AG
1个N沟道 耐压:650V 电流:28A
- 描述
- 汽车级N沟道650 V、0.070 Ohm典型值、38 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW50N65DM2AG
- 商品编号
- C457475
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V,19A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh™ DM2快速恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）较低，适用于要求严苛的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用