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ESE6005AS
2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA N沟道,60V,5A,30mΩ@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESE6005AS
- 商品编号
- C42420768
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.181167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
商品概述
ESE6005AS是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESE6005AS为无铅产品。
商品特性
- 60V,RDS(ON) = 30 m Ω(典型值)@ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 36 m Ω(典型值)@ VGS = 4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(on)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换