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ESLM3400
N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.0A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19.0mΩ@10V,6.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,30V,6.0A,19.0mΩ@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESLM3400
- 商品编号
- C42420776
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,5.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF@10V |
商品概述
ESLM3400是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESLM3400为无铅产品。
商品特性
- 30 V，栅源电压（VGS）= 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 21 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）= 25 mΩ（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 有雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换