温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ESEP1520K
N沟道，150V，20A，57mΩ@10V,5A，3.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA N沟道,150V,19A,57mΩ@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESEP1520K
- 商品编号
- C42420777
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.484186克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
商品概述
ESEP1520K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESEP1520K为无铅产品。
商品特性
- 150V,RDS(ON) = 57mΩ(典型值),VGS = 10V -RDS(ON)= 75mΩ(典型值),VGS = 6V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换