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ESE01P18K
N沟道，100V，9.0A，100.0mΩ@10V,5.0A，1.5V@250uA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：55W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,100V,9A,100mΩ@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESE01P18K
- 商品编号
- C42420846
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.448658克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF |
商品概述
ESE01P18K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESE01P18K为无铅产品。
商品特性
- 100V,RDS(ON) = 100 m Ω(典型值)@ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 110 m Ω(典型值)@ VGS = 4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换