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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ESJ2302S

N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.3A 功率(Pd):0.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA N沟道,20V,3.3A,45mΩ@10V
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
ESJ2302S
商品编号
C42420865
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031404克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.3A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)0.9mW
阈值电压(Vgs(th))700mV@250uA
栅极电荷量(Qg)3nC@4.5V
输入电容(Ciss)200pF@10V
反向传输电容(Crss)28pF@10V

商品概述

ESJ2305是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJ2305无铅。

商品特性

  • 12V,VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 29 mΩ(典型值)
  • VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 45 mΩ(典型值)
  • VGS = -1.8 V时,RDS(ON) = 67 mΩ(典型值)
  • 快速开关
  • 采用高密度单元设计,实现低RDS(ON)
  • 材料:无卤素
  • 可靠耐用
  • 雪崩额定
  • 低漏电流

应用领域

  • PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换

数据手册PDF