温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ESJL3401
P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA P沟道,-30V,-4.5A,40mΩ@-10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJL3401
- 商品编号
- C42420885
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0313克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF |
商品概述
ESJL3401是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJL3401为无铅产品。
商品特性
- -30V,VGS = -10V时,RDS(ON) = 42mΩ(典型值)
- VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 49mΩ(典型值)
- VGS = -2.5V时,RDS(ON) = 72mΩ(典型值)
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑电源管理-DC/DC转换
相似推荐
其他推荐