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DON90N04
N沟道MOSFET
- 描述
- N管/40V/90A/4.5mΩ/(典型3.5mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON90N04
- 商品编号
- C42420919
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.023nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 201pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ESJ3402是N沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJ3402为无铅产品。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 55 mΩ（典型值）
- 30 V，在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 40 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换