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DOZ55N04
采用先进SGT技术、低栅极电荷的N沟道MOSFET
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- 描述
- SGT工艺/N管/40V/55A/5mΩ/(典型4mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ55N04
- 商品编号
- C42420928
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 55 A,在栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换