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DOZ20DN04
N沟道 40V 20A
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- 描述
- N+N管/40V/20A/22mΩ/(典型17mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ20DN04
- 商品编号
- C42420935
- 商品封装
- DFN-8D(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 523pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
HSTB55NF06LT4采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V, ID = 20 A, RDS(ON) < 22 m Ω @ VGS = 10 V (典型值:17 m Ω )
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 保证 100% 单脉冲雪崩能量
- 有环保型产品可供选择。
应用领域
- 开关应用
- 逆变器系统电源管理
- N沟道MOSFET