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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DOZ28DN04

2个N沟道 耐压:40V 电流:28A

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描述
N+N管/40V/28A/13mΩ/(典型10mΩ)
商品型号
DOZ28DN04
商品编号
C42420936
商品封装
DFN3x3-8D​
包装方式
编带
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.7nC@20V
输入电容(Ciss)1.3nF
反向传输电容(Crss)85pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)118pF

商品概述

这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下具有出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 40 V, ID = 28 A, RDS(ON) < 13 m Ω (在 VGS = 10 V 时,典型值为 10 m Ω )
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有环保器件可供选择。

数据手册PDF