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DOZ12DP02
双P沟道MOSFET
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- 描述
- P+P管/-20V/-12A/16mΩ/(典型12mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ12DP02
- 商品编号
- C42420937
- 商品封装
- DFN3x3-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
这款双P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20 V,漏极电流(ID) = -12 A,当栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 16 mΩ(典型值:12 mΩ)
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
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