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DOZ40DN02
双N沟道MOSFET
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- 描述
- N+N管/20V/35A/9mΩ/(典型6.3mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ40DN02
- 商品编号
- C42420932
- 商品封装
- DFN3x3-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 35 A,在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) < 9 m Ω(典型值:6.3 m Ω)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 封装散热性能出色。
- 湿度敏感度等级3(MSL3)