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DOZ4616

N+P沟道MOSFET

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描述
N+P管/30V/10A/13mΩ/(典型11mΩ)
商品型号
DOZ4616
商品编号
C42420931
商品封装
DFN3x3-8D​
包装方式
编带
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V
耗散功率(Pd)5.6W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)50nC@10V
输入电容(Ciss)580pF@15V
反向传输电容(Crss)92pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。 由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高可用能量。

商品特性

  • 低RDS(ON)
  • 低栅极电荷(典型值Qg = 12 nC)
  • 100%进行了UIS测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器

数据手册PDF