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DOZ75N02

N沟道MOSFET

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私有库下单最高享92折
描述
N管/20V/75A/4mΩ/(典型2.8mΩ)
商品型号
DOZ75N02
商品编号
C42420922
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)26W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)48nC@4.5V
输入电容(Ciss)3.199nF
反向传输电容(Crss)445pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。

商品特性

  • VDS = 20 V,ID = 75 A,在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 4 mΩ
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有绿色环保器件可供选择

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 便携式/台式PC的电源管理
  • DC/DC转换

数据手册PDF