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DOZ45N04

采用先进SGT技术、低栅极电荷的N沟道MOSFET

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描述
SGT工艺/N管/40V/45A/7mΩ/(典型6.5mΩ)
商品型号
DOZ45N04
商品编号
C42420927
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.094754克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))11mΩ
耗散功率(Pd)20W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)660pF
反向传输电容(Crss)29.4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF