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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DON15P10

P沟道MOSFET

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描述
P管/-100V/-15A/180mΩ/(典型142mΩ)
商品型号
DON15P10
商品编号
C42420920
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V
耗散功率(Pd)56W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)9nC
输入电容(Ciss)529pF
反向传输电容(Crss)19pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于各种应用。

商品特性

  • VDS = -100 V,ID = -15 A,VGS = -10 V时RDS(ON) < 180 mΩ(典型值:142 mΩ)
  • 低栅极电荷
  • 有环保型器件可供选择
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)
  • 封装散热性能良好
  • 湿度敏感度等级为3级(MSL3)

应用领域

  • PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换

数据手册PDF