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DOZ35N02
双N沟道MOSFET
- 描述
- N管/20V/35A/8mΩ/(典型6.3mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ35N02
- 商品编号
- C42420921
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术，以最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 35 A，在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 8 mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可供选择。