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DON50N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
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- 描述
- SGT工艺/N管/40V/50A/6.5mΩ/(典型5.5mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON50N04
- 商品编号
- C42420908
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29.4pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ESJ2307是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的(R_{\mathrm{DS(ON)}})。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJ2307为无铅产品。
商品特性
- 30V，(R_{\mathrm{DS(ON)}} = 46 \mathrm{~m} \Omega)（典型值）@ (V_{\mathrm{GS}} = -10 \mathrm{~V})
- (R_{\mathrm{DS(ON)}} = 62 \mathrm{~m} \Omega)（典型值）@ (V_{\mathrm{GS}} = -4.5 \mathrm{~V})
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低(R_{\mathrm{DS(on)}})
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换