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DON60N10-L
采用先进SGT技术的N沟道MOSFET
- 描述
- SGT工艺/N管/100V/60A/10mΩ/(典型8.6mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON60N10-L
- 商品编号
- C42420912
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.615nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 60 A,当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 10 mΩ(典型值:8.6 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 采用散热性能良好的封装
- 湿度敏感度等级为3级(MSL3)