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DON50DN03
2个N沟道 耐压:30V 电流:50A
- 描述
- N+N管/30V/50A/5.5mΩ/(典型4.2mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON50DN03
- 商品编号
- C42420914
- 商品封装
- DFN-8D(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 50 A,VGS = 10 V时,RDS(ON) < 5.5 mΩ
- 栅极电荷低。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。