温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DON40DN06
2个N沟道 耐压:60V 电流:40A
- 描述
- N+N管/60V/40A/17mΩ/(典型13.5mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON40DN06
- 商品编号
- C42420916
- 商品封装
- DFN-8D(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.899nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 113pF |
商品概述
这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V, ID = 40 A, RDS(ON) < 17 m Ω(VGS = 10 V时)
- 栅极电荷低。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。