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DON55N06
采用先进SGT技术、低栅极电荷的N沟道MOSFET
- 描述
- SGT工艺/N管/60V/55A/10mΩ/(典型7.5mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON55N06
- 商品编号
- C42420910
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.122nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，在低栅极电荷的情况下，提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 55 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 10 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型产品可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- 采用散热性能良好的封装。