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ESBSS84WT1G
带ESD防护，P沟道，-60V，-0.15A，4Ω@-10V@-0.15A；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 描述
- 带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESBSS84WT1G
- 商品编号
- C42420891
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 17pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
ESBSS84WT1G 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 ESBSS84WT1G 为无铅产品。
商品特性
- -60V,VGS = -10V 时,RDS(ON) = 3.5Ω(典型值)
- VGS = -4.5V 时,RDS(ON) = 4.5Ω(典型值)
- 快速开关
- 采用高密度单元设计,可实现低 RDS(on)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换