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DON95N04
N沟道MOSFET
- 描述
- N管/40V/95A/4mΩ/(典型3.3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON95N04
- 商品编号
- C42420905
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.391nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 197pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
ES2N7002KDW1T1G是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES2N7002KDW1T1G为无铅产品。
商品特性
- 60V，VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.85Ω（典型值）
- VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 2.05Ω（典型值）
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- ESD保护 - 人体模型（HBM）：2kV
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换