温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DON140N04
采用先进SGT技术、低栅极电荷的N沟道MOSFET
- 描述
- SGT工艺/N管/40V/140A/2mΩ/(典型1.65mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON140N04
- 商品编号
- C42420906
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@32V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.829nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 473pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on)),适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 40 V,漏极电流(ID) = 140 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 2 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 采用散热性能良好的优质封装