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ESJA3134KA
带ESD防护 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：0.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
- 描述
- N/P极性：N @@漏源电压(V):20 @@漏源电流(A):0.7 @@阈值电压(V):0.75 @@导通电阻RDS(ON)@VGS 4.5V Type(mΩ):180 @@封装:DFN1006-3
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJA3134KA
- 商品编号
- C42420886
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00965克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V.0.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 220mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 56pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@10V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻（RDS(on)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40 V，漏极电流（ID） = 90 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 4.5 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能出色
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