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ESJ3402
N沟道，：30V，4.2A，40mΩ@10V,3.6A，0.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.9V@250uA N沟道,30V,4.2A,40mΩ@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJ3402
- 商品编号
- C42420875
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037582克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,3.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@15V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 50 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 6.5 mΩ（典型值：5.5 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级为3级（MSL3）