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ESJG150N03A
高性能功率MOSFET器件，深圳实验室配套电路优化&EMC整改服务
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：123A 功率(Pd)：6.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.7mΩ@10V,20.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.75V@250uA N沟道,30V,123A,1.70mΩ@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJG150N03A
- 商品编号
- C42420879
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.170621克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 123A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.75V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 103pF |
商品概述
ESJG150N03A是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJG150N03A为无铅产品。
商品特性
- 30V,RDS(ON) = 1.7 m Ω(典型值)@ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 2.6 m Ω(典型值)@ VGS = 4.5 V
- 快速开关
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 有雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换