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ESJ2312
N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.5A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA N沟道,20V,4.5A,23mΩ@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJ2312
- 商品编号
- C42420866
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0327克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@10V |
商品概述
ESJ2312是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJ2312为无铅产品。
商品特性
- 20V，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 25 mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = 4.5 V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） = 29 mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = 2.5 V
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠且耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换