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ESBSS123LT1G
N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：0.29A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.7Ω@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA,100V,0.29A,2.7Ω@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESBSS123LT1G
- 商品编号
- C42420862
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035319克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 290mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.95Ω@4.5V；2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 输入电容(Ciss) | 29pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8pF |
商品概述
ESBSS123LT1G是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESBSS123LT1G为无铅产品。
商品特性
- 100V,VGS = 10 V时,RDS(ON) = 2.70 Ω(典型值)
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 2.95 Ω(典型值)
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换