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ES2N7002SDW1T1G
带ESD防护，2个N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- 描述
- 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES2N7002SDW1T1G
- 商品编号
- C42420859
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038724克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V |
商品概述
ESJ3134K-KF是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJ3134K-KF为无铅产品。
商品特性
- 20V，VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 150mΩ（典型值）
- VGS = 2.5V时，RDS(ON) = 200mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换