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ES2N7002SLT1G
带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 带ESD防护 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,1.7Ω@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES2N7002SLT1G
- 商品编号
- C42420847
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 380mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF |
商品概述
ES2N7002SLT1G是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术与设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路。标准产品ES2N7002SLT1G为无铅产品。
商品特性
- 60V,RDS(ON) = 1.85 Ω(典型值)@ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 2.05 Ω(典型值)@ VGS = 4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(on)
- ESD保护 - 人体模型(HBM):2kV
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换