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ESE2302实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ESE2302

N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.5A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36.0mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA N沟道,20V,3.5A,36.0mΩ@10V
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
ESE2302
商品编号
C42420778
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0312克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.3A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V,3.5A
耗散功率(Pd)0.9mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))700mV@250uA
栅极电荷量(Qg)3nC@4.5V
输入电容(Ciss)200pF@10V
反向传输电容(Crss)28pF@10V

商品概述

ESE2302是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,具备出色的漏源导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESE2302为无铅产品。

商品特性

  • 20V,栅源电压(VGS)= 4.5V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 45 mΩ(典型值)
  • 栅源电压(VGS)= 2.5V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 62 mΩ(典型值)
  • 高密度单元设计,实现低漏源导通电阻(RDS(on))
  • 材料:无卤素
  • 可靠耐用
  • 具备ESD保护
  • 低泄漏电流

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 便携式/台式电脑的电源管理
  • DC/DC转换

数据手册PDF