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ESJAB35P03
P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-29A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-31A 功率(Pd)：30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@-10V,-20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.5V@250uA,-30V,-31A,13mΩ@10V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJAB35P03
- 商品编号
- C42420782
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.495385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF |
商品概述
ESJAB35P03是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJAB35P03为无铅产品。
商品特性
- -30V,VGS = -10V时,RDS(ON) = 13mΩ(典型值)
- VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 17mΩ(典型值)
- 快速开关
- 采用高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换