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ESJL3134K
带ESD防护 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：0.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
- 描述
- N/P极性：N @@漏源电压(V):20 @@漏源电流(A):1.25 @@阈值电压(V):0.75 @@导通电阻RDS(ON)@VGS 4.5V Type(mΩ):220 @@封装:SOT-23
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJL3134K
- 商品编号
- C42420844
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@1.8V；290mΩ@2.5V；220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 710mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 33pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
ESJL3134K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJL3134K为无铅产品。
商品特性
- 20V,RDS(ON) = 220 m Ω(典型值)@VGS = 4.5V
- RDS(ON) = 290 m Ω(典型值)@VGS = 2.5V
- RDS(ON) = 420 m Ω(典型值)@VGS = 1.8V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换