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ESJ3139KDW
带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-0.5A，功率(Pd)：300mW，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：580mΩ@-4.5V,阈值电压(Vgs(th)：-0.7V
- 描述
- N/P极性：P @@漏源电压(V):-20 @@漏源电流(A):-0.5 @@阈值电压(V):-0.62 @@导通电阻RDS(ON)@VGS 4.5V Type(mΩ):580 @@封装:SOT-323
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJ3139KDW
- 商品编号
- C42420842
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.073889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 610mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
商品概述
ESJ3139KDW是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJ3139KDW为无铅产品。
商品特性
- -20V,RDS(ON) = 610 m Ω(典型值),VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 885 m Ω(典型值),VGS = - 2.5 V
- RDS(ON) = 1380 m Ω(典型值),VGS = - 1.8 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换