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ESJBA3134K
带ESD防护 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：0.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
- 描述
- N/P极性：N @@漏源电压(V):20 @@漏源电流(A):0.7 @@阈值电压(V):0.75 @@导通电阻RDS(ON)@VGS 4.5V Type(mΩ):180 @@封装:DFN1006-3
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESJBA3134K
- 商品编号
- C42420783
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.010133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 220mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 56pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF |
商品概述
ESJBA3134K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESJBA3134K为无铅产品。
商品特性
- 20V,RDS(ON) = 180 m Ω(典型值)@VGS=4.5V
- R DS(ON) = 260 m Ω(典型值)@V GS = 2.5 V
- R DS(ON) = 415 m Ω(典型值)@V GS = 1.8 V
- 高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换